พิมพ์หน้า
DMG9926USD-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMG9926USD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944075RL
เทปตัด3944075
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,954 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,954 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB35.790 | THB178.95 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB178.95 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB35.790 |
| 10+ | THB21.320 |
| 100+ | THB15.110 |
| 500+ | THB14.810 |
| 1000+ | THB14.510 |
| 5000+ | THB14.210 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMG9926USD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944075RL
เทปตัด3944075
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd1.3W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.3W
Power Dissipation P Channel1.3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.3W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation N Channel
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001