พิมพ์หน้า
DMC3730UFL3-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC3730UFL3-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944052RL
เทปตัด3944052
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
445 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
445 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB17.810 | THB89.05 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB89.05 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB17.810 |
| 10+ | THB10.920 |
| 100+ | THB6.960 |
| 500+ | THB5.220 |
| 1000+ | THB4.640 |
| 5000+ | THB3.390 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC3730UFL3-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944052RL
เทปตัด3944052
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.291ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1.1A
Continuous Drain Current Id P Channel1.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.46ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleX2-DFN1310
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd390mW
Power Dissipation N Channel390mW
Power Dissipation P Channel390mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
0.291ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
1.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.46ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
Power Dissipation Pd
390mW
Power Dissipation P Channel
390mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
X2-DFN1310
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
390mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001