พิมพ์หน้า
DMC3016LSD-13
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC3016LSD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต42 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944036RL
เทปตัด3944036
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 1 | THB28.230 | THB28.23 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB28.23 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB28.230 |
| 10+ | THB17.580 |
| 100+ | THB11.390 |
| 500+ | THB8.710 |
| 1000+ | THB8.520 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC3016LSD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต42 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944036RL
เทปตัด3944036
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id8.2A
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Continuous Drain Current Id N Channel8.2A
Continuous Drain Current Id P Channel8.2A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
8.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
8.2A
Continuous Drain Current Id N Channel
8.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001