พิมพ์หน้า
DMC25D0UVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 4 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC25D0UVT-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944030RL
เทปตัด3944030
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,405 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,405 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB26.040 | THB130.20 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB130.20 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB26.040 |
| 10+ | THB11.730 |
| 100+ | THB10.320 |
| 500+ | THB8.160 |
| 1000+ | THB6.000 |
| 5000+ | THB5.220 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMC25D0UVT-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944030RL
เทปตัด3944030
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id400mA
On Resistance Rds(on)3.8ohm
Continuous Drain Current Id N Channel400mA
Continuous Drain Current Id P Channel400mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.08ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleTSOT-26
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation Pd1.2W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.2W
Power Dissipation P Channel1.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
On Resistance Rds(on)
3.8ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
400mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id
400mA
Continuous Drain Current Id N Channel
400mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.08ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation Pd
1.2W
Power Dissipation N Channel
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001