พิมพ์หน้า
S29GL01GT10TFI010
Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL01GT10TFI010
รหัสสินค้า2768056
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005664115, S29GL01GT10TFI010
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
1,474 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1474 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB692.88 |
| 10+ | THB650.76 |
| 25+ | THB633.21 |
| 50+ | THB619.17 |
| 100+ | THB606.79 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB692.88
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL01GT10TFI010
รหัสสินค้า2768056
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005664115, S29GL01GT10TFI010
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageTSOP
No. of Pins56Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
S29GL01GT10TFI010 is a 1Gb (128MB), parallel 3.0V, GL-T MIRRORBIT™ flash memory. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time speed, fabricated on 45nm process technology
- VIO=VCC=2.7V to 3.6V, highest address sector protected CFI Version 1.5
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature - wide I/O voltage range (VIO) 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Automatic error checking and correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20-year data retention
- TSOP package, industrial temperature range from -40°C to +85°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
TSOP
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
56Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003714