Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules | element14 Thailand

ประกาศสำคัญ:

ขณะนี้คลังสินค้ามีปริมาณคำสั่งซื้อสูงกว่าปกติ จึงอาจทำให้การจัดส่งล่าช้ากว่าปกติ. การจัดส่งสินค้าบางรายการอาจล่าช้าออกไป 1–2 วันทำการ. ขอบคุณสำหรับความเข้าใจและการสนับสนุนของท่าน.

เปรียบเทียบ	หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	รหัสคำสั่งซื้อ	ผู้ผลิต / รายละเอียด	จำนวนสินค้าที่มี	ราคาสำหรับ	ราคา	จำนวน	MOSFET Module Configuration	Channel Type	Continuous Drain Current Id	Drain Source Voltage Vds	Drain Source On State Resistance	Transistor Case Style	No. of Pins	Rds(on) Test Voltage	Gate Source Threshold Voltage Max	Power Dissipation	Operating Temperature Max

	SCT2080KEGC11	3869176 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 40 A 1.2 kV 0.08 ohm TO-247N		Each	1+THB786.060 5+THB693.680 10+THB601.300 50+THB593.750 100+THB586.190 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	40A	1.2kV	0.08ohm	TO-247N	3Pins	18V	2.8V	262W	175°C
	SCT3030ALGC11	2678783 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide Power MOSFET N Channel 70 A 650 V 0.03 ohm 18 V 5.6 V		Each	1+THB950.660 5+THB902.480 10+THB854.290 50+THB823.230		Single	N Channel	70A	650V	0.03ohm	TO-247N	3Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3030ARC15	4145198 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 70 A 650 V 0.03 ohm TO-247		Each	1+THB800.850 5+THB688.990 10+THB577.120 50+THB569.410		Single	N Channel	70A	650V	0.03ohm	TO-247	4Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3030ARHRC15	4145199 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 70 A 650 V 0.03 ohm TO-247		Each	1+THB661.640 5+THB605.650		Single	N Channel	70A	650V	0.03ohm	TO-247	4Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3040KRC15	4145200 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 55 A 1.2 kV 0.04 ohm TO-247		Each	1+THB821.330 5+THB707.120 10+THB592.910 50+THB588.070		Single	N Channel	55A	1.2kV	0.04ohm	TO-247	4Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3040KRHRC15	4145201 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 55 A 1.2 kV 0.04 ohm TO-247		Each	1+THB727.020 5+THB660.890 10+THB630.670		Single	N Channel	55A	1.2kV	0.04ohm	TO-247	4Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3030ARC14	3241768 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 70 A 650 V 0.03 ohm TO-247		Each	1+THB1,106.400 5+THB1,082.280 10+THB1,058.150 50+THB1,037.000 100+THB1,015.830		Single	N Channel	70A	650V	0.03ohm	TO-247	4Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3040KLGC11	2680147 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide Power MOSFET N Channel 55 A 1.2 kV 0.04 ohm 18 V 5.6 V		Each	1+THB1,410.540 5+THB1,219.910 10+THB1,029.270 50+THB1,008.690 100+THB993.700		Single	N Channel	55A	1.2kV	0.04ohm	TO-247N	3Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT2080KEHRC11	3052193 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 40 A 1.2 kV 0.08 ohm TO-247N		Each	1+THB1,331.600 5+THB1,138.110 10+THB944.620 50+THB925.730 100+THB906.840 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	40A	1.2kV	0.08ohm	TO-247N	3Pins	18V	2.8V	262W	175°C
	SCT3040KLHRC11	3052189 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 55 A 1.2 kV 0.04 ohm TO-247N		Each	1+THB1,609.740 5+THB1,443.970 10+THB1,278.190 50+THB1,268.450 100+THB1,258.710		Single	N Channel	55A	1.2kV	0.04ohm	TO-247N	3Pins	18V	5.6V	262W	175°C
	SCT3030ALHRC11	3052182 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 70 A 650 V 0.03 ohm TO-247N		Each	1+THB1,566.070 5+THB1,391.900 10+THB1,217.720 50+THB1,204.620 100+THB1,191.520		Single	N Channel	70A	650V	0.03ohm	TO-247N	3Pins	18V	5.6V	262W	175°C

รายการต่อหน้า:

1-11 จาก 11 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI