38A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules | element14 Thailand

ประกาศสำคัญ:

ขณะนี้คลังสินค้ามีปริมาณคำสั่งซื้อสูงกว่าปกติ จึงอาจทำให้การจัดส่งล่าช้ากว่าปกติ. การจัดส่งสินค้าบางรายการอาจล่าช้าออกไป 1–2 วันทำการ. ขอบคุณสำหรับความเข้าใจและการสนับสนุนของท่าน.

ค้นหา 38A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules ไว้หลากหลาย เช่น 30A, 40A, 31A & 60A Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Infineon, Onsemi, Rohm, Nexperia & Microchip

เปรียบเทียบ	หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	รหัสคำสั่งซื้อ	ผู้ผลิต / รายละเอียด	จำนวนสินค้าที่มี	ราคาสำหรับ	ราคา	จำนวน	MOSFET Module Configuration	Channel Type	Continuous Drain Current Id	Drain Source Voltage Vds	Drain Source On State Resistance	Transistor Case Style	No. of Pins	Rds(on) Test Voltage	Gate Source Threshold Voltage Max	Power Dissipation	Operating Temperature Max	Product Range

	IMZA65R050M2HXKSA1	4378746 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 650 V 0.046 ohm TO-247		Each	1+THB367.190 5+THB291.820 10+THB216.450 50+THB199.840 100+THB183.230 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	650V	0.046ohm	TO-247	4Pins	20V	5.6V	153W	175°C	CoolSiC Gen 2 Series
	SCT3060AW7TL	3577900 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 650 V 0.06 ohm TO-263 (D2PAK)		Each	1+THB503.280 5+THB445.360 10+THB435.560		Single	N Channel	38A	650V	0.06ohm	TO-263 (D2PAK)	7Pins	18V	5.6V	159W	175°C	-
	AIMZH120R060M1TXKSA1	4335785 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.075 ohm TO-247		Each	1+THB425.280 5+THB345.840 10+THB266.390 50+THB246.580 100+THB226.760 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.075ohm	TO-247	4Pins	20V	5.1V	197W	175°C	CoolSiC Series
	NTH4L075N065SC1	4036814 Data Sheet RoHS	ONSEMI Silicon Carbide MOSFET EliteSiC Single N Channel 38 A 650 V 0.057 ohm TO-247		Each	1+THB218.940 5+THB197.060 10+THB191.140		Single	N Channel	38A	650V	0.057ohm	TO-247	4Pins	18V	2.8V	148W	175°C	EliteSiC Series
	AIMZHN120R060M1TXKSA1	4335795 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.075 ohm TO-247		Each	1+THB447.450 5+THB374.890 10+THB302.330 50+THB268.740 100+THB235.150 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.075ohm	TO-247	4Pins	20V	5.1V	197W	175°C	CoolSiC Series
	AIMBG120R060M1XTMA1	4335825 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.075 ohm TO-263HV		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+THB392.370 5+THB333.250 10+THB274.120 50+THB245.400 100+THB216.680 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.075ohm	TO-263HV	7Pins	20V	5.1V	202W	175°C	CoolSiC Series
	NVHL075N065SC1	4305077 Data Sheet RoHS	ONSEMI Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 650 V 0.085 ohm TO-247		Each	1+THB492.810 5+THB396.230 10+THB299.650 50+THB286.550 100+THB273.450 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	650V	0.085ohm	TO-247	3Pins	18V	4.3V	148W	175°C	EliteSiC Series
	NSF060120D7A0J	4416135 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.09 ohm TO-263		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+THB530.690 5+THB448.270 10+THB365.850 50+THB351.310 100+THB336.770 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.09ohm	TO-263	7Pins	18V	2.9V	167W	175°C	-
	IMW65R050M2HXKSA1	4378742 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 650 V 0.046 ohm TO-247		Each	1+THB304.690 5+THB249.600 10+THB194.510 50+THB179.390 100+THB164.270 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	650V	0.046ohm	TO-247	3Pins	20V	5.6V	153W	175°C	CoolSiC Gen 2 Series
	SCT4036DWATL	4751144 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 750 V 0.047 ohm TO-263LA		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+THB423.940 5+THB358.930 10+THB293.920 50+THB263.250 100+THB232.570 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	750V	0.047ohm	TO-263LA	7Pins	18V	4.8V	115W	175°C	-
	IMZC120R053M2HXKSA1	4574256 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.053 ohm TO-247		Each	1+THB385.020 5+THB313.480 10+THB241.930 50+THB223.270 100+THB204.610 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.053ohm	TO-247	4Pins	18V	5.1V	182W	175°C	CoolSiC Gen 2 Series
	NSF060120D7A0-QJ	4719793 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.09 ohm TO-263		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+THB420.800 5+THB354.520 10+THB288.240 50+THB251.610 100+THB214.980 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.09ohm	TO-263	7Pins	18V	2.9V	183W	175°C	-
	SCT4036DWAHRTL	4751143 Data Sheet RoHS	ROHM Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 750 V 0.047 ohm TO-263LA		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+THB420.250 5+THB356.260 10+THB292.260 50+THB262.370 100+THB232.470 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	750V	0.047ohm	TO-263LA	7Pins	18V	4.8V	115W	175°C	-
	IMZA120R053M2HXKSA1	4717039 Data Sheet RoHS	INFINEON Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.069 ohm TO-247		Each	1+THB351.150 5+THB279.090 10+THB207.030 50+THB191.140 100+THB175.240 ราคาเพิ่มเติม...		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.069ohm	TO-247	4Pins	18V	5.1V	182W	150°C	CoolSiC Series
	MSC060SMB120B4N	4751108 Data Sheet RoHS	MICROCHIP Silicon Carbide MOSFET Single N Channel 38 A 1.2 kV 0.08 ohm TO-247		Each	1+THB224.320 25+THB219.840 100+THB215.350		Single	N Channel	38A	1.2kV	0.08ohm	TO-247	4Pins	18V	5V	192W	175°C	mSiC Series
	NXH40B120MNQ0SNG	3929810 Data Sheet RoHS	ONSEMI Silicon Carbide MOSFET EliteSiC DualPack Dual N Channel 38 A 1.2 kV 0.04 ohm Module		Each	1+THB3,007.840 5+THB2,824.090 10+THB2,640.340 50+THB2,587.540		DualPack	Dual N Channel	38A	1.2kV	0.04ohm	Module	22Pins	20V	-	118W	175°C	EliteSiC Series
	NTHL075N065SC1.	4130205 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET N-CH 650V 38A TO-247		Each	60+THB193.690 250+THB182.480		Single	N Channel	38A	650V	0.057ohm	TO-247	3Pins	18V	4.3V	148W	175°C	TUK SGACK902S Keystone Coupler

รายการต่อหน้า:

1-17 จาก 17 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI