พิมพ์หน้า
PMD16K100
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 225 W, 20 A, TO-3, 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSOLID STATE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPMD16K100สำเนา
รหัสสินค้า1863026
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd225W
DC Collector Current20A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The PMD16K100 is a 100V Silicon NPN Darlington Power Transistor having monolithic epitaxial base structures with built-in base to emitter shunt resistors. The transistor is CVD glass passivated to increase reliability and provide reduced high temperature reverse leakage current. Internal diode protection of the Darlington configuration is built into the structure to limit the device power dissipation during negative overshoot.
- Low thermal resistance for more useable power
- Hermetically sealed
การใช้งาน
Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
225W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
20A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000766