640mA Single MOSFETs | element14 Thailand

ค้นหา 640mA Single MOSFETs มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Single MOSFETs ไว้หลากหลาย เช่น 100A, 40A, 50A & 120A Single MOSFETs จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Vishay, Diodes Inc. & Microchip

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(6)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(4)

1-2 วัน(6)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(6)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Drain Current Id

:

640mA

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	SI1302DL-T1-E3	1470156 Data Sheet RoHS	VISHAY Power MOSFET N Channel 30 V 640 mA 0.48 ohm SC-70 Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB21.300 10+ THB12.650 100+ THB8.560 500+ THB6.830 1000+ THB5.220 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB106.50 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	N Channel	30V	640mA	0.48ohm	SC-70	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pins	150°C	-
	SI1302DL-T1-E3	1470156RL Data Sheet RoHS	VISHAY Power MOSFET N Channel 30 V 640 mA 0.48 ohm SC-70 Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB8.560 500+ THB6.830 1000+ THB5.220 5000+ THB4.880	ทั้งหมด:THB856.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	N Channel	30V	640mA	0.48ohm	SC-70	Surface Mount	10V	1V	310mW	3Pins	150°C	-
	VN0300L-G	2809990 Data Sheet RoHS	MICROCHIP Power MOSFET Enhanced-Mode N Channel 30 V 640 mA 1.2 ohm TO-92 Through Hole		Each	1+ THB34.730 25+ THB28.880 100+ THB27.230 1000+ THB26.210	ทั้งหมด:THB34.73 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	N Channel	30V	640mA	1.2ohm	TO-92	Through Hole	10V	2.5V	1W	3Pins	150°C	-
	VP2206N3-G	3580724 Data Sheet RoHS	MICROCHIP Power MOSFET P Channel 60 V 640 mA 0.75 ohm TO-92 Through Hole		Each	1+ THB84.200 25+ THB69.790 100+ THB63.240 1000+ THB61.980	ทั้งหมด:THB84.20 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	P Channel	60V	640mA	0.75ohm	TO-92	Through Hole	10V	3.5V	740mW	3Pins	150°C	VP2206
	ZXMN10A07F	9525700 Data Sheet RoHS	DIODES INC. Power MOSFET N Channel 100 V 640 mA 0.7 ohm SOT-23 Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB18.190 50+ THB12.480 100+ THB8.960 500+ THB7.320 1500+ THB6.380	ทั้งหมด:THB90.95 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	N Channel	100V	640mA	0.7ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	4V	625mW	3Pins	150°C	-
	ZXMN10A07F	9525700RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Power MOSFET N Channel 100 V 640 mA 0.7 ohm SOT-23 Surface Mount		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB8.960 500+ THB7.320 1500+ THB6.380	ทั้งหมด:THB896.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	N Channel	100V	640mA	0.7ohm	SOT-23	Surface Mount	10V	4V	625mW	3Pins	150°C	-

รายการต่อหน้า:

1-6 จาก 6 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI