IRF7104TRPBF
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB41.360 | THB41.36 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB41.36 | ||
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB41.360 |
| 10+ | THB19.210 |
| 100+ | THB17.030 |
| 500+ | THB13.210 |
| 1000+ | THB12.950 |
| 5000+ | THB12.690 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
P Channel
20V
2.3A
0.19ohm
8Pins
2W
-
MSL 1 - Unlimited
20V
2.3A
0.19ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ IRF7104TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์