พิมพ์หน้า
DMN2029USD-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.025 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN2029USD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944094RL
เทปตัด3944094
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
232 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
232 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB27.450 | THB137.25 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB137.25 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB27.450 |
| 10+ | THB16.940 |
| 100+ | THB10.870 |
| 500+ | THB8.280 |
| 1000+ | THB6.450 |
| 5000+ | THB5.610 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMN2029USD-13สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944094RL
เทปตัด3944094
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.2W
Power Dissipation N Channel1.2W
Power Dissipation P Channel1.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
5.8A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
1.2W
Power Dissipation P Channel
1.2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001