พิมพ์หน้า
SI1024X-T1-E3
MOSFET, N, 6-SC-89
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI1024X-T1-E3สำเนา
รหัสสินค้า1612637
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel485mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.25ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
ตัวเลือกสำหรับ SI1024X-T1-E3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
485mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.25ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001