Fast & Ultrafast Recovery Rectifier Diodes | element14 Thailand

ประกาศสำคัญ:

ขณะนี้คลังสินค้ามีปริมาณคำสั่งซื้อสูงกว่าปกติ จึงอาจทำให้การจัดส่งล่าช้ากว่าปกติ. การจัดส่งสินค้าบางรายการอาจล่าช้าออกไป 1–2 วันทำการ. ขอบคุณสำหรับความเข้าใจและการสนับสนุนของท่าน.

เปรียบเทียบ	หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	รหัสคำสั่งซื้อ	ผู้ผลิต / รายละเอียด	จำนวนสินค้าที่มี	ราคาสำหรับ	ราคา	จำนวน	Repetitive Peak Reverse Voltage	Average Forward Current	Diode Configuration	Forward Voltage Max	Reverse Recovery Time	Forward Surge Current	Operating Temperature Max	Diode Case Style	No. of Pins

	BYC30W-600PQ	3358417 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 35 ns 300 A		Each	1+THB96.080 10+THB62.160 100+THB42.680 500+THB37.960 1000+THB30.940 ราคาเพิ่มเติม...		600V	30A	Single	2.75V	35ns	300A	175°C	TO-247	2 Pin
	BYC75W-600PT2Q	3703819 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 75 A Single 2.75 V 42 ns 750 A		Each	1+THB130.680 10+THB86.000 100+THB60.470 500+THB50.430		600V	75A	Single	2.75V	42ns	750A	175°C	TO-247	2 Pin
	BYC30X-600PSQ	3773490 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 51 ns 286 A		Each	1+THB64.510 10+THB40.320 100+THB26.550 500+THB22.390		600V	30A	Single	2.75V	51ns	286A	175°C	TO-220F	2 Pin
	BYC30MY-600PSQ	4163317 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 22 ns 300 A		Each	1+THB25.530 10+THB25.350		600V	30A	Single	2.75V	22ns	300A	175°C	IITO-220	2 Pin
	BYC30JT-600PSQ	3929153 Data Sheet	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 35 ns 300 A		Each	1+THB51.580 10+THB42.170 100+THB27.680 500+THB27.090		600V	30A	Single	2.75V	35ns	300A	175°C	TO-3PF	3 Pin
	BYC30Y-600PSQ	4163316 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 45 ns 286 A		Each	1+THB31.320 10+THB28.190 100+THB27.560		600V	30A	Single	2.75V	45ns	286A	175°C	IITO-220	2 Pin
	BYC30MW-650PT2Q	4697771 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 650 V 30 A Single 2.75 V 38 ns 297 A		Each	1+THB80.290 10+THB51.070 100+THB34.610 500+THB27.790 1000+THB27.210		650V	30A	Single	2.75V	38ns	297A	175°C	TO-247	2 Pin
	BYC30X-600P,127	3358418 Data Sheet RoHS	WEEN SEMICONDUCTORS Fast / Ultrafast Diode 600 V 30 A Single 2.75 V 35 ns 220 A		Each	1+THB51.830 10+THB46.650 100+THB43.880 500+THB40.770 1000+THB38.010 ราคาเพิ่มเติม...		600V	30A	Single	2.75V	35ns	220A	175°C	TO-220FP	2 Pin

รายการต่อหน้า:

1-8 จาก 8 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI