
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB61.300 |
| 10+ | THB36.580 |
| 25+ | THB35.000 |
| 50+ | THB33.420 |
| 100+ | THB31.840 |
| 500+ | THB27.920 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The 6N137-000E is an Optically Coupled Gate combines a GaAsP light emitting diode and an integrated high gain photo detector. An enable input allows the detector to be strobed. The output of the detector IC is an open collector Schottky-clamped transistor. The internal shield provides a guaranteed common mode transient immunity specification up to 15,000V/μs at Vcm=1000V. This unique design provides maximum ac and dc circuit isolation while achieving TTL compatibility. The optocoupler AC and DC operational parameters are guaranteed from -40 to +85°C allowing trouble-free system performance.
- 10MBd Typical high speed
- LSTTL/TTL compatible
- 5mA Low input current capability
การใช้งาน
Signal Processing, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control
คำเตือน
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
1 Channel
10Mbaud
8Pins
No SVHC (23-Jan-2024)
3.75kV
DIP
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ 6N137-000E
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
