พิมพ์หน้า
SI2318DS-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSI2318DS-T1-GE3สำเนา
รหัสสินค้า1867178
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ตัวเลือกสำหรับ SI2318DS-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Rds(on) Test Voltage
10V
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000046