พิมพ์หน้า
CSD88599Q5DCT
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 1700 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD88599Q5DCTสำเนา
รหัสสินค้า3009689
Product RangeNexFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD88599Q5DCTสำเนา
รหัสสินค้า3009689
Product RangeNexFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1700µohm
Transistor Case StyleVSON
No. of Pins22Pins
Power Dissipation N Channel12W
Power Dissipation P Channel12W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeNexFET Series
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
1700µohm
No. of Pins
22Pins
Power Dissipation P Channel
12W
Product Range
NexFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
1700µohm
Transistor Case Style
VSON
Power Dissipation N Channel
12W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0023