พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD88539NDสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต55 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3125083RL
เทปตัด3125083
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
120 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
120 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB50.740 | THB50.74 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB50.74 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB50.740 |
| 10+ | THB32.090 |
| 100+ | THB21.380 |
| 500+ | THB16.770 |
| 1000+ | THB13.710 |
| 5000+ | THB13.440 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตTEXAS INSTRUMENTS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตCSD88539NDสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต55 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3125083RL
เทปตัด3125083
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The CSD88539ND is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
การใช้งาน
Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000726
