พิมพ์หน้า
BSS138LT1G
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSS138LT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต29 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2317879
ม้วนตัดแบ่ง1431319RL
เทปตัด1431319
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
363,206 ในสต็อก
243,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
307,170 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
56,036 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB11.100 | THB55.50 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB55.50 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB11.100 |
| 50+ | THB9.070 |
| 100+ | THB7.030 |
| 500+ | THB3.480 |
| 1500+ | THB3.420 |
| 3000+ | THB3.250 |
| 7500+ | THB3.080 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB3.000 |
| 9000+ | THB2.940 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSS138LT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต29 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2317879
ม้วนตัดแบ่ง1431319RL
เทปตัด1431319
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ± 20V
- Continuous drain current (Id) of 200mA
- Power dissipation (pd) of 225mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V
การใช้งาน
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ BSS138LT1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน8
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000008