พิมพ์หน้า
MRF1K50HR5
RF FET Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNXP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMRF1K50HR5
รหัสสินค้า2776261
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
50 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
50 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB12,587.800 |
| 5+ | THB12,336.050 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB12,587.80
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNXP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMRF1K50HR5
รหัสสินค้า2776261
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds135VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.667kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max500MHz
Transistor Case StyleNI-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
MRF1K50HR5 is a RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500MHz.
- High drain--source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Characterized from 30 to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Recommended driver: MRFE6VS25N (25W)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
135VDC
Power Dissipation
1.667kW
Operating Frequency Max
500MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.011793