พิมพ์หน้า
GANC070-650WSHQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 23 A, 0.084 ohm, 15 nC, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB162.240 |
| 10+ | THB127.770 |
| 100+ | THB93.300 |
| 500+ | THB88.370 |
| 1000+ | THB83.450 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB162.24
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGANC070-650WSHQสำเนา
รหัสสินค้า5033223
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Typical Gate Charge15nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
15nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001