พิมพ์หน้า
BST82,215
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBST82,215สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2439451
ม้วนตัดแบ่ง1081313RL
เทปตัด1081313
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB25.440 | THB127.20 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB127.20 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB25.440 |
| 50+ | THB17.250 |
| 100+ | THB12.730 |
| 500+ | THB9.050 |
| 1500+ | THB6.670 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB4.130 |
| 9000+ | THB4.050 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBST82,215สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2439451
ม้วนตัดแบ่ง1081313RL
เทปตัด1081313
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
BST82,215 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, logic level translator.
- Very fast switching, logic level compatible
- Subminiature surface mount package
- Drain-source breakdown voltage is 130V typ at Tj=25°C, ID=10µA; VGS =0V
- Drain-source leakage current is 0.01µA typ at Tj=25°C, VDS=60V; VGS =0V
- Gate-source leakage current is 10nA typ at VGS=±20V; VDS =0V
- Forward transconductance is 350mS min at VDS=5V; ID=175mA
- Source-drain (diode forward) voltage is 1.5V typ at IS=300mA; VGS=0V
- Reverse recovery time is 30ns min at IS=300mA
- SOT23 package
- Operating junction temperature range from -65 to 150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
ตัวเลือกสำหรับ BST82,215
พบผลิตภัณฑ์จำนวน7
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hong Kong
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Hong Kong
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000145