พิมพ์หน้า
MT29F2G08ABAEAWP:E
Flash Memory, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICRON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMT29F2G08ABAEAWP:E
รหัสสินค้า3677180
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
874 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
874 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB665.250 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB665.25
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICRON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMT29F2G08ABAEAWP:E
รหัสสินค้า3677180
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Density2Gbit
Memory Configuration256M x 8bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageTSOP-I
No. of Pins48Pins
Clock Frequency Max-
Access Time16ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
MT29F2G08ABAEAWP:E is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status. This device has an internal 4-bit ECC that can be enabled using the GET/SET features.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status byte provides software method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required as first command after power-on
- Alternate method of device initialization (Nand-Init) after power up (contact factory)
- 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP package, 0°C to +70°C commercial operating temperature range
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Configuration
256M x 8bit
IC Case / Package
TSOP-I
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
2Gbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
48Pins
Access Time
16ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
70°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Singapore
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Singapore
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85235110
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001013