พิมพ์หน้า
DMG6602SVTX-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMG6602SVTX-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944067RL
เทปตัด3944067
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
43 ในสต็อก
6,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
43 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| ม้วนตัดแบ่ง | 5 | THB29.890 | THB149.45 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB149.45 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB29.890 |
| 10+ | THB13.340 |
| 100+ | THB11.720 |
| 500+ | THB9.530 |
| 1000+ | THB5.600 |
| 5000+ | THB5.490 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMG6602SVTX-7สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต43 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง3944067RL
เทปตัด3944067
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.035ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
3.4A
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.035ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOT-26
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001