MG ELECTRONICS Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules | element14 Thailand

ประกาศสำคัญ:

ขณะนี้คลังสินค้ามีปริมาณคำสั่งซื้อสูงกว่าปกติ จึงอาจทำให้การจัดส่งล่าช้ากว่าปกติ. การจัดส่งสินค้าบางรายการอาจล่าช้าออกไป 1–2 วันทำการ. ขอบคุณสำหรับความเข้าใจและการสนับสนุนของท่าน.

เปรียบเทียบ	หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	รหัสคำสั่งซื้อ	ผู้ผลิต / รายละเอียด	จำนวนสินค้าที่มี	ราคาสำหรับ	ราคา	จำนวน	MOSFET Module Configuration	Channel Type	Continuous Drain Current Id	Drain Source Voltage Vds	Drain Source On State Resistance	Transistor Case Style	No. of Pins	Rds(on) Test Voltage	Gate Source Threshold Voltage Max	Power Dissipation	Operating Temperature Max	Product Range

	MG400Q2YMS3(DAE)	4860995 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 400 A 1.2 kV Module		Each	1+THB23,652.870		Half Bridge	Dual N Channel	400A	1.2kV	-	Module	11Pins	-	5.6V	1.35kW	150°C	-
	MG250YD2YMS3(DAE)	4860994 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 250 A 2.2 kV Module		Each	1+THB32,818.350		Half Bridge	Dual N Channel	250A	2.2kV	-	Module	11Pins	-	5.5V	2kW	150°C	-
	MG250V2YMS3(DAE)	4860993 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 250 A 1.7 kV Module		Each	1+THB24,835.510		Half Bridge	Dual N Channel	250A	1.7kV	-	Module	11Pins	-	5.5V	1.35kW	150°C	-
	MG600Q2YMS3(DAE)	4860997 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 600 A 1.2 kV Module		Each	1+THB35,479.300		Half Bridge	Dual N Channel	600A	1.2kV	-	Module	11Pins	-	5.6V	2kW	150°C	-
	MG400V2YMS3(DAE)	4860996 Data Sheet RoHS	TOSHIBA Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 400 A 1.7 kV Module		Each	1+THB35,479.300		Half Bridge	Dual N Channel	400A	1.7kV	-	Module	11Pins	-	5.5V	2kW	150°C	-

รายการต่อหน้า:

1-5 จาก 5 รายการ

จาก 1 หน้า