พิมพ์หน้า
VNQ860-E
MOSFET, SMART SWITCH, SO-20
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVNQ860-E
รหัสสินค้า8165467
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVNQ860-E
รหัสสินค้า8165467
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds41V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation16W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
16W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
41V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Morocco
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Morocco
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.006