พิมพ์หน้า
ATF-34143-TR1G
RF FET Transistor, 5.5 V, 65 mA, 725 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตBROADCOM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตATF-34143-TR1G
รหัสสินค้า1056820RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds5.5V
Continuous Drain Current Id65mA
Power Dissipation725mW
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max160°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The ATF-34143-TR1G is a low noise Pseudomorphic HEMT housed in a surface-mount plastic package. Based on its featured performance, it is ideal for the first or second stage of base station LNA due to the excellent combination of low-noise figure and enhanced linearity. The device is suitable for applications in wireless LAN, WLL/RLL, MMDS and other systems requiring super low-noise figure with good intercept in the 450MHz to 10GHz frequency range.
- Low noise figure
- 800µ Gate width
- 0.5dB Noise figure
- 17.5dB Associated gain
- 20dBm Output power at 1dB gain compression
- 31.5dBm Output 3rd order intercept
การใช้งาน
Industrial, Wireless, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
5.5V
Power Dissipation
725mW
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
65mA
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
160°C
Transistor Mounting
Surface Mount
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004536