พิมพ์หน้า
QRD1114
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตQRD1114
รหัสสินค้า1467858
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
6,499 ในสต็อก
1,300 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1079 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
4260 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
1160 จัดส่งใน 4-5 วันทำการ(สหรัฐอเมริกา สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB40.400 |
| 10+ | THB34.660 |
| 25+ | THB33.760 |
| 50+ | THB32.860 |
| 100+ | THB31.950 |
| 500+ | THB29.660 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB40.40
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตQRD1114
รหัสสินค้า1467858
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Supply Voltage Min-
Sensing Distance1.27mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max1mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
การใช้งาน
Automation & Process Control, Building Automation, Medical, Test & Measurement
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
1mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000318