6GHz Bipolar RF Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 6GHz Bipolar RF Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Bipolar RF Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 8GHz, 100MHz, 10GHz & 11GHz Bipolar RF Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Infineon & NXP

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(4)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(5)

1-2 วัน(4)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(5)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Transition Frequency

:

6GHz

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	BFR93AWH6327XTSA1	2480689 Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 12 V 6 GHz 300 mW 90 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB6.050 50+ THB4.800 250+ THB4.550 1000+ THB4.090 5000+ THB3.820	ทั้งหมด:THB30.25 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	12V	6GHz	300mW	90mA	SOT-323	3Pins	70hFE	Surface Mount	150°C
	BFR93AE6327HTSA1	2480688 Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 12 V 6 GHz 300 mW 90 mA SOT-23		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	5+ THB5.950 50+ THB4.690 250+ THB4.550 1000+ THB4.510 5000+ THB4.420	ทั้งหมด:THB29.75 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	12V	6GHz	300mW	90mA	SOT-23	3Pins	70hFE	Surface Mount	150°C
	BFR93AWH6327XTSA1	2480689RL Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 12 V 6 GHz 300 mW 90 mA SOT-323		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	50+ THB4.800 250+ THB4.550 1000+ THB4.090 5000+ THB3.820	ทั้งหมด:THB480.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	12V	6GHz	300mW	90mA	SOT-323	3Pins	70hFE	Surface Mount	150°C
	BFR93AE6327HTSA1	2480688RL Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 12 V 6 GHz 300 mW 90 mA SOT-23		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	50+ THB4.690 250+ THB4.550 1000+ THB4.510 5000+ THB4.420	ทั้งหมด:THB469.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	12V	6GHz	300mW	90mA	SOT-23	3Pins	70hFE	Surface Mount	150°C
	BFR93A.	549289 Data Sheet RoHS	NXP TRANSISTOR NPN RF SOT-23		Each	1+ THB13.020 30+ THB7.310 100+ THB7.180 1000+ THB4.960	ทั้งหมด:THB13.02 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	NPN	12V	6GHz	300mW	35mA	SOT-23	3Pins	40hFE	Surface Mount	175°C

รายการต่อหน้า:

1-5 จาก 5 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI