22GHz Bipolar RF Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 22GHz Bipolar RF Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Bipolar RF Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 8GHz, 100MHz, 11GHz & 10GHz Bipolar RF Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Infineon

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(4)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(4)

1-2 วัน(4)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(4)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Transition Frequency

:

22GHz

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	BFR460L3E6327XTMA1	2480685RL Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 4.5 V 22 GHz 200 mW 50 mA TSLP		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB9.000 500+ THB8.600 1000+ THB7.890 5000+ THB7.680	ทั้งหมด:THB900.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	4.5V	22GHz	200mW	50mA	TSLP	3Pins	90hFE	Surface Mount	150°C
	BFR460L3E6327XTMA1	2480685 Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 4.5 V 22 GHz 200 mW 50 mA TSLP		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB17.580 10+ THB11.160 100+ THB9.000 500+ THB8.600 1000+ THB7.890 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB17.58 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	NPN	4.5V	22GHz	200mW	50mA	TSLP	3Pins	90hFE	Surface Mount	150°C
	BFP460H6327XTSA1	2480667RL Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 4.5 V 22 GHz 230 mW 70 mA SOT-343		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	100+ THB8.510 500+ THB8.100 1000+ THB7.760 5000+ THB6.630	ทั้งหมด:THB851.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	4.5V	22GHz	230mW	70mA	SOT-343	4Pins	90hFE	Surface Mount	150°C
	BFP460H6327XTSA1	2480667 Data Sheet RoHS	INFINEON Bipolar - RF Transistor NPN 4.5 V 22 GHz 230 mW 70 mA SOT-343		Each (Supplied on Cut Tape) เทปตัด	1+ THB16.980 10+ THB10.530 100+ THB8.510 500+ THB8.100 1000+ THB7.760 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB16.98 ขั้นต่ำ: 1 / จำนวนมาก: 1	NPN	4.5V	22GHz	230mW	70mA	SOT-343	4Pins	90hFE	Surface Mount	150°C

รายการต่อหน้า:

1-4 จาก 4 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI