พิมพ์หน้า
BUL89
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 110 W, TO-220, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUL89
รหัสสินค้า1084534
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตSTMICROELECTRONICS
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBUL89
รหัสสินค้า1084534
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation110W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Transition Frequency-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BUL89 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Mesa technology for high performance. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. It is designed for use in lighting applications and switch-mode power supplies.
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Low base-drive requirements
- Very high switching speed
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Lighting
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220
Transition Frequency
-
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
110W
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002