พิมพ์หน้า
US6J11TR
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตUS6J11TR
รหัสสินค้า2706718RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 22 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB13.420 |
| 500+ | THB10.320 |
| 1000+ | THB9.310 |
| 5000+ | THB8.010 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,342.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตUS6J11TR
รหัสสินค้า2706718RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id1.3A
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.26ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleTUMT
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
1.3A
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.26ohm
Transistor Case Style
TUMT
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000005