พิมพ์หน้า
SP8M51HZGTB
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSP8M51HZGTB
รหัสสินค้า3580407RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
904 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
904 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB35.500 |
| 500+ | THB28.300 |
| 1000+ | THB23.530 |
| 5000+ | THB23.040 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB3,550.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSP8M51HZGTB
รหัสสินค้า3580407RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.29ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
3A
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000166