พิมพ์หน้า
SH8MA4TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSH8MA4TB1
รหัสสินค้า3934727RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,128 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2128 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB24.140 |
| 500+ | THB20.480 |
| 1000+ | THB16.340 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,414.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSH8MA4TB1
รหัสสินค้า3934727RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel9A
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Continuous Drain Current Id P Channel9A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0214ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0296ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOP
Power Dissipation Pd3W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3W
Power Dissipation P Channel3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
9A
Continuous Drain Current Id N Channel
9A
Continuous Drain Current Id P Channel
9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0214ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0296ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation N Channel
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0005