พิมพ์หน้า
SH8JB5TB1
Dual MOSFET, P Channel, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSH8JB5TB1
รหัสสินค้า3639774RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB45.210 |
| 500+ | THB38.010 |
| 1000+ | THB34.610 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB4,521.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSH8JB5TB1
รหัสสินค้า3639774RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.0124ohm
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.0153ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.0124ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0153ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000074