พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตQS6M3TR
รหัสสินค้า1525473RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
3,117 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
3117 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
มีจนกว่าของจะหมด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB11.840 |
| 500+ | THB9.830 |
| 1500+ | THB9.640 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB1,184.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตQS6M3TR
รหัสสินค้า1525473RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleTSMT
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Portable Devices, Motor Drive & Control
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
1.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
900mW
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSMT
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000056