พิมพ์หน้า
BSM250D17P2E004
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSM250D17P2E004
รหัสสินค้า3573222
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
4 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB37,393.900 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB37,393.90
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตROHM
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBSM250D17P2E004
รหัสสินค้า3573222
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.8kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.8kW
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.28