พิมพ์หน้า
MMUN2211LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMMUN2211LT1G
รหัสสินค้า2317902
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
15,000 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
15000 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB0.951 |
| 9000+ | THB0.932 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Full Reel)
ขั้นต่ำ: 3000
หลายรายการ: 3000
THB2,853.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMMUN2211LT1G
รหัสสินค้า2317902
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Digital Transistor PolaritySingle NPN
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The MMUN2211LT1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
การใช้งาน
Industrial, Automotive, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Digital Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Base Emitter Resistor R2
10kohm
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ MMUN2211LT1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000031