พิมพ์หน้า
BC857BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual PNP, 45 V, 100 mA
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBC857BDW1T1G
รหัสสินค้า1653608RL
Product RangeBCxxx Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
22,553 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
22553 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 500+ | THB1.530 |
| 1500+ | THB1.500 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 500
หลายรายการ: 5
THB765.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBC857BDW1T1G
รหัสสินค้า1653608RL
Product RangeBCxxx Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-45V
DC Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Power Dissipation Pd380mW
Continuous Collector Current NPN-
DC Current Gain hFE150hFE
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP380mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP150hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product RangeBCxxx Series
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BC857BDW1T1G is a dual PNP Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
การใช้งาน
Power Management, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-45V
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current NPN
-
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
380mW
DC Current Gain hFE Min PNP
150hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
380mW
DC Current Gain hFE
150hFE
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
BCxxx Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ BC857BDW1T1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.08