พิมพ์หน้า
NHDTC123JTVL
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNHDTC123JTVL
รหัสสินค้า3526192RL
Product RangeNHDTC123JT Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
9,780 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
9780 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB3.200 |
| 500+ | THB2.350 |
| 1000+ | THB1.840 |
| 5000+ | THB1.580 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB320.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNHDTC123JTVL
รหัสสินค้า3526192RL
Product RangeNHDTC123JT Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolaritySingle NPN
Digital Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max NPN80V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.04(Ratio)
Transistor Case StyleTO-236AB
RF Transistor CaseTO-236AB
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation350mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min100hFE
Product RangeNHDTC123JT Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
Transistor Case Style
TO-236AB
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
350mW
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
80V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
0.04(Ratio)
RF Transistor Case
TO-236AB
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
NHDTC123JT Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000024