พิมพ์หน้า
DMHC4035LSDQ-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC4035LSDQ-13
รหัสสินค้า3944081RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
2,076 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2076 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB24.440 |
| 500+ | THB19.280 |
| 1000+ | THB18.480 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,444.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตDIODES INC.
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตDMHC4035LSDQ-13
รหัสสินค้า3944081RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.065ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
DMHC4035LSDQ-13 is a 40V complementary enhancement mode MOSFET H-bridge features 2 N and 2 P channels in an SO-8 package. Qualified to AEC-Q101 the H bridge is ideally suited to driving solenoids, DC motors and audio outputs.
- Drain-source voltage is 40V, gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 25A
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- PPAP capable
- Total power dissipation is 5W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.065ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001