800mA Darlington Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 800mA Darlington Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Darlington Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 500mA, 1A, 300mA & 2A Darlington Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Diodes Inc. & Onsemi

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(3)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(3)

1-2 วัน(3)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(3)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Collector Current

:

800mA

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	FMMT734	9525106RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor Darlington PNP 100 V 625 mW 800 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB11.370 500+ THB9.020 1500+ THB8.190	ทั้งหมด:THB1,137.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	PNP	100V	100V	625mW	800mA	625mW	800mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	60000hFE	Surface Mount	140MHz	150°C	60000hFE
	MMBTA28	2825121RL Data Sheet RoHS	ONSEMI Darlington Transistor NPN 80 V 350 mW 800 mA SuperSOT 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB6.630 500+ THB4.960 1000+ THB3.980 5000+ THB3.910	ทั้งหมด:THB663.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	80V	80V	350mW	800mA	350mW	800mA	SuperSOT	SuperSOT	3Pins	10000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	10000hFE
	FMMT734TA	3127397RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor PNP 100 V 625 mW 800 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB10.910 500+ THB8.370 1000+ THB7.810	ทั้งหมด:THB1,091.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	PNP	100V	100V	625mW	800mA	625mW	800mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	5000hFE	Surface Mount	140MHz	150°C	5000hFE

รายการต่อหน้า:

1-3 จาก 3 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI