300mA Darlington Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 300mA Darlington Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Darlington Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 500mA, 1A, 300mA & 2A Darlington Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Diodes Inc., Onsemi & Rohm

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(7)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(8)

1-2 วัน(7)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(8)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Collector Current

:

300mA

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	MMBTA13LT1G	2464055RL Data Sheet RoHS	ONSEMI Darlington Transistor Darlington NPN 30 V 225 mW 300 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB2.000 500+ THB1.290 1500+ THB1.270	ทั้งหมด:THB200.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	225mW	300mA	225mW	300mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	10000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	10000hFE	AEC-Q101
	FMMT38C	9526315RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor Darlington NPN 60 V 330 mW 300 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB6.290 500+ THB4.990 1500+ THB4.530	ทั้งหมด:THB629.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	60V	60V	330mW	300mA	330mW	300mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	10000hFE	Surface Mount	-	150°C	10000hFE	-
	2SD1383KT146B	2948343RL Data Sheet RoHS	ROHM Darlington Transistor NPN 32 V 200 mW 300 mA SOT-346 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB9.540 500+ THB7.500 1000+ THB5.800	ทั้งหมด:THB954.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	32V	32V	200mW	300mA	200mW	300mA	SOT-346	SOT-346	3Pins	5000hFE	Surface Mount	250MHz	150°C	5000hFE	-
	MMBTA14LT1G	2317594RL Data Sheet RoHS	ONSEMI Darlington Transistor Darlington NPN 30 V 225 mW 300 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	500+ THB1.670	ทั้งหมด:THB835.00 ขั้นต่ำ: 500 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	225mW	300mA	225mW	300mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	20000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	10000hFE	AEC-Q101
	MMSTA14-7-F	3943307RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 30 V 200 mW 300 mA SOT-323 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB4.800 500+ THB3.580 1000+ THB2.650 5000+ THB1.930	ทั้งหมด:THB480.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	200mW	300mA	200mW	300mA	SOT-323	SOT-323	3Pins	20000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	20000hFE	-
	MMBTA13-7-F	3943296RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 30 V 300 mW 300 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB2.500 500+ THB1.850 1000+ THB1.320 5000+ THB1.300	ทั้งหมด:THB250.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	300mW	300mA	300mW	300mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	20000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	20000hFE	-
	MMBTA14-7-F	3943297RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor NPN 30 V 300 mW 300 mA SOT-23 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB2.450 500+ THB1.810 1000+ THB1.300 5000+ THB1.280	ทั้งหมด:THB245.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	30V	30V	300mW	300mA	300mW	300mA	SOT-23	SOT-23	3Pins	20000hFE	Surface Mount	125MHz	150°C	20000hFE	-
	FMMTA14TA	1471180RL Data Sheet RoHS	DIODES INC. Darlington Transistor Darlington NPN 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB3.680 500+ THB2.770 1000+ THB2.210 5000+ THB1.890	ทั้งหมด:THB368.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 5	NPN	-	40V	-	300mA	330mW	-	-	SOT-23	3Pins	-	Surface Mount	-	150°C	20000hFE	-

รายการต่อหน้า:

1-8 จาก 8 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI