4A Darlington Transistors | element14 Thailand

ค้นหา 4A Darlington Transistors มากมายที่ element14 Thailand เราจัดเก็บ Darlington Transistors ไว้หลากหลาย เช่น 500mA, 1A, 2A & 300mA Darlington Transistors จากผู้ผลิตชั้นนำของโลก ได้แก่: Multicomp Pro & Onsemi

ดู

ผู้ซื้อ

วิศวกร

ในสต็อก(3)

เหมาะสำหรับ การออกแบบใหม่(3)

1-2 วัน(3)

ใหม่ - 180 Dagar(0)

วันที่และล็อต(0)

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS(3)

ใช้ตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

Continuous Collector Current

:

4A

1 เลือกตัวกรองแล้ว (จำนวน) รายการ

เปรียบเทียบ					ราคาสำหรับ		จำนวน

	BD677	1574359 Data Sheet RoHS	MULTICOMP PRO Bipolar Single Transistor Darlington NPN 60 V 40 W 4 A 750 hFE		Each	5+ THB25.080 10+ THB12.650 100+ THB10.170 500+ THB8.110 1000+ THB7.310 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB125.40 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	NPN	60V	60V	40W	4A	40W	4A	SOT-32	TO-126	3Pins	750hFE	Through Hole	150°C	750hFE
	BD678	1574361 Data Sheet RoHS	MULTICOMP PRO Darlington Transistor PNP 60 V 40 W 4 A SOT-32 3 Pins		Each	5+ THB25.080 10+ THB12.650 100+ THB10.170 500+ THB8.110 1000+ THB7.310 ราคาเพิ่มเติม...	ทั้งหมด:THB125.40 ขั้นต่ำ: 5 / จำนวนมาก: 5	PNP	60V	60V	40W	4A	40W	4A	SOT-32	TO-126	3Pins	750hFE	Through Hole	150°C	750hFE
	MJD6039T4G	2774792RL Data Sheet RoHS	ONSEMI Darlington Transistor Darlington NPN 80 V 20 W 4 A TO-252 (DPAK) 3 Pins		Each (Supplied on Cut Tape) ม้วนตัดแบ่ง ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์	100+ THB18.160 500+ THB17.200 1000+ THB16.240 5000+ THB15.270	ทั้งหมด:THB1,816.00 ขั้นต่ำ: 100 / จำนวนมาก: 1	NPN	80V	80V	20W	4A	20W	4A	TO-252 (DPAK)	TO-252 (DPAK)	3Pins	2500hFE	Surface Mount	150°C	1000hFE

รายการต่อหน้า:

1-3 จาก 3 รายการ

จาก 1 หน้า

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 600 V

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

เทคโนโลยีเวเฟอร์บาง IGBT ซีรีส์ XPT สำหรับการใช้งานที่มีการสวิตช์มากและสนับเบอร์น้อย

LITTELFUSE

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

ไดโอดชอทท์กี้ SiC ซีรีส์ MPS 650 V ถึง 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MOSFET กำลัง N-Channel

MOSFET กำลัง N-Channel

INFINEON

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

IGBT แบบร่องฟิลด์สตอป 600 V 30 A ที่มีไดโอดซิลิคอนพิกัดเต็ม

NEXPERIA

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

FET แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) 650 V

NEXPERIA

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

H-Bridge ในซีรีส์ APM16 สำหรับตัวแปลง DC-DC แบบเปลี่ยนเฟสและ LLC

ONSEMI