พิมพ์หน้า
XP2530AGY
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตYAGEO XSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตXP2530AGY
รหัสสินค้า4169023RL
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตYAGEO XSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตXP2530AGY
รหัสสินค้า4169023RL
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.3A
Continuous Drain Current Id P Channel2.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.072ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.136W
Power Dissipation P Channel1.136W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.15ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.136W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.072ohm
Transistor Case Style
SOT-26
Power Dissipation N Channel
1.136W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001