พิมพ์หน้า
VS-3C20ET07S2L-M3
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 20 A, 53 nC, TO-263AB (D2PAK)
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVS-3C20ET07S2L-M3
รหัสสินค้า4486795
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
5 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
5 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB254.410 |
| 5+ | THB251.950 |
| 10+ | THB249.480 |
| 50+ | THB247.020 |
| 100+ | THB245.330 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB254.41
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตVS-3C20ET07S2L-M3
รหัสสินค้า4486795
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge53nC
Diode Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
VS-3C20ET07S2L-M3 is a 650V, 20A Gen 3 power SiC merged PIN schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behaviour. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Majority carrier diode using schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behaviour
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 1A whisker test
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
53nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002