พิมพ์หน้า
SQJB80EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQJB80EP-T1_GE3
รหัสสินค้า2708321RL
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
3,267 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
3267 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB26.820 |
| 500+ | THB21.200 |
| 1000+ | THB19.260 |
| 5000+ | THB17.320 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,682.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQJB80EP-T1_GE3
รหัสสินค้า2708321RL
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.0155ohm
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max2V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd48W
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
On Resistance Rds(on)
0.0155ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
48W
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000186