พิมพ์หน้า
SQJ500AEP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7700 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQJ500AEP-T1_GE3
รหัสสินค้า3470699RL
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
4,820 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4820 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB32.550 |
| 500+ | THB25.920 |
| 1500+ | THB24.320 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB3,255.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQJ500AEP-T1_GE3
รหัสสินค้า3470699RL
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.0077ohm
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel7700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7700µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd48W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0077ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7700µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
7700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
48W
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00023