พิมพ์หน้า
SQ1922AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQ1922AEEH-T1_GE3
รหัสสินค้า3104164RL
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
7,131 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2811 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
4320 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB9.420 |
| 500+ | THB7.210 |
| 1000+ | THB5.410 |
| 5000+ | THB4.380 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB942.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQ1922AEEH-T1_GE3
รหัสสินค้า3104164RL
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id850mA
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
850mA
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.009