พิมพ์หน้า
SQ1539EH-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQ1539EH-T1_GE3
รหัสสินค้า3470722RL
Product RangeTrenchFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
5,769 ในสต็อก
3,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
5769 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB6.570 |
| 500+ | THB6.220 |
| 1000+ | THB5.620 |
| 5000+ | THB5.450 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 5
THB657.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSQ1539EH-T1_GE3
รหัสสินค้า3470722RL
Product RangeTrenchFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id850mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
850mA
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000002