พิมพ์หน้า
SISH402DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
110 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
110 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB20.490 |
| 500+ | THB16.270 |
| 1000+ | THB15.020 |
| 5000+ | THB13.760 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 100
หลายรายการ: 1
THB2,049.00
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตVISHAY
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSISH402DN-T1-GE3
รหัสสินค้า2932959RL
Product RangeTrenchFET
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance6000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ SISH402DN-T1-GE3
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003